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HBM要被取代了嗎？英特爾聯手軟銀押注Z型記憶體ZAM！厲害在哪？ft.Ansys Simulation World Taiwan 2026

曲博科技教室 Dr. J Class

Jul 15, 2026

英特爾與軟銀合資成立 SaiMemory，開發 Z 型夾角記憶體（ZAM）以打破韓國廠商對高頻寬記憶體（HBM）的市場壟斷。ZAM 透過創新的垂直與水平堆疊封裝技術，解決了 HBM 在散熱、良率及容量上的物理極限，旨在為 AI 基礎設施提供更具成本效益與擴展性的架構。

Key insight: ZAM 記憶體採用單一中央通道架構取代傳統 HBM 的蜂巢式細穿孔（TSV），不僅能提升 30% 以上的有效儲存面積，還能將運算功耗降低至 HBM 的 50%。