先進封裝 Podcast Summaries
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HBM要被取代了嗎？英特爾聯手軟銀押注Z型記憶體ZAM！厲害在哪？ft.Ansys Simulation World Taiwan 2026
曲博科技教室 Dr. J Class
Jul 15, 2026
英特爾與軟銀合資成立 SaiMemory，開發 Z 型夾角記憶體（ZAM）以打破韓國廠商對高頻寬記憶體（HBM）的市場壟斷。ZAM 透過創新的垂直與水平堆疊封裝技術，解決了 HBM 在散熱、良率及容量上的物理極限，旨在為 AI 基礎設施提供更具成本效益與擴展性的架構。
Key insight: ZAM 記憶體採用單一中央通道架構取代傳統 HBM 的蜂巢式細穿孔（TSV），不僅能提升 30% 以上的有效儲存面積，還能將運算功耗降低至 HBM 的 50%。
抗電磁干擾全球領先！半導體隱形冠軍！凌嘉科技如何靠「濕轉乾」抓住先進封裝大商機？
曲博科技教室 Dr. J Class
Jun 16, 2026
隨著晶片線寬微縮至5微米以下，傳統濕式製程因等向性蝕刻與環境污染問題面臨瓶頸。凌嘉科技董事長梁瑞芳指出，真空濺鍍與電漿蝕刻等乾式製程技術，不僅能實現高精度的垂直結構，更成為先進封裝（如FOPLP）與抗電磁干擾屏蔽的核心解決方案。
Key insight: 凌嘉科技開發的扇出型面板級封裝（FOPLP）設備，面板尺寸已達700x700毫米，面積為12吋晶圓的7.2倍，能顯著降低單顆晶片生產成本。
華為大逆襲，挑戰台積電的真正武器，不是EUV而是「韜(𝜏)定律」！台積電1.4奈米遇對手，美國封鎖也擋不住？
曲博科技教室 Dr. J Class
Jun 10, 2026
面對摩爾定律放緩，華為提出「邏輯摺疊」技術，將晶片邏輯單元細粒度拆分並進行三維堆疊。此舉捨棄傳統追求電晶體微縮的思維，轉而透過縮短訊號傳輸路徑來優化時間常數，藉此突破先進製程受限的效能瓶頸。
Key insight: 華為提出的「韜定律」核心觀點在於，半導體產業的競爭核心將不再是誰能做出更小的電晶體，而是誰能以最有效率的方式壓縮訊號傳輸的時間常數。
CoWoS還不夠？台積電下一代封裝CoPoS登場！台積電先進封裝有多強？先進封裝CoWoS、CoPoS、InFO完整解析！
曲博科技教室 Dr. J Class
May 21, 2026
媒體普遍誤解台積電的 CoPoS 技術，將其誤認為以玻璃中介板取代矽中介板。事實上，CoPoS 的核心在於使用「方形玻璃」作為臨時載板，透過提升晶圓面積使用效率來顯著降低先進封裝成本，而非更換中介板材質。
Key insight: 將 12 吋圓形臨時載板改為方形後，中介板的擺放數量可從 7 個提升至 16 個，面積使用效率從 45% 躍升至 81%，成本可降低約 10%。